森国科荣获2020年度汽车电子科学技术突出创新产品奖

在全球汽车电子技术快速迭代的背景下，碳化硅（SiC）功率器件凭借其高频率、高效率、耐高温等优势，正加速渗透新能源汽车、充电桩及车载电源等领域。2020年，深圳市森国科科技股份有限公司（以下简称“森国科”）自主研发的“全球最低漏电流碳化硅二极管”荣获2020年度汽车电子科学技术“突出创新产品奖”，标志着我国在宽禁带半导体器件领域取得突破性进展，也为汽车电子行业树立了技术创新的标杆。

一、奖项背景：权威认可引领行业风向

“汽车电子科学技术奖”由中国汽车工业协会、中国汽车工程学会等权威机构联合评审，旨在表彰在汽车电子领域具有显著技术创新性、市场价值及行业推动力的产品与技术。2020年度评选竞争激烈，森国科碳化硅二极管凭借其“全球最低漏电流”的核心指标脱颖而出，获评“突出创新产品奖”，不仅体现了行业对森国科技术实力的高度认可，更彰显了碳化硅器件在汽车电子产业链中的关键地位。

二、技术突破：全球最低漏电流背后的创新链路

漏电流是衡量半导体二极管性能的核心参数之一，尤其在高温、高压工作环境下，漏电流的大小直接影响系统的效率、可靠性与寿命。森国科针对汽车电子严苛的应用场景，通过多项自主创新实现了漏电流指标的全球领先：

1. 外延与器件结构优化
团队通过精准控制外延层掺杂浓度与厚度，结合优化的JBS（结型势垒肖特基）结构设计，大幅降低了反向偏置下的漏电流。采用独特的终端保护技术，有效抑制了电场集中效应，提升了器件的耐压能力与稳定性。

2. 先进制造工艺
森国科引入高精度离子注入与退火工艺，在确保低缺陷密度的形成高质量的肖特基接触与欧姆接触。通过精细化界面钝化处理，器件在高温下的漏电流特性得到显著改善，满足了汽车级AEC-Q101可靠性标准。

3. 材料与封装协同创新
采用高质量SiC衬底与外延材料，结合低应力封装设计与高导热材料，器件在-55℃至175℃的宽温范围内保持极低漏电流（典型值＜1μA@650V），较传统硅二极管降低两个数量级以上，为车载充电机（OBC）、DC-DC转换器等应用提供了更高能效与更低损耗的解决方案。

三、产品优势：赋能汽车电子高效安全

森国科碳化硅二极管的“全球最低漏电流”特性，为汽车电子系统带来了多重核心价值：

• 提升系统效率：超低漏电流显著减少反向偏置时的功率损耗，尤其在高频开关场景下，系统整体效率提升达2%以上。
• 增强高温可靠性：在引擎舱高温环境中，漏电流的低温度敏感性保障了器件性能稳定，延长了使用寿命。
• 简化散热设计：低损耗特性降低了散热需求，助力汽车电子模块小型化、轻量化。
• 增强安全性：在电池管理、电机驱动等关键环节，低漏电流减少了热失控风险，提升了整车安全等级。

目前，该产品已通过多家头部车企与Tier 1供应商的验证，批量应用于车载充电机、DC-DC变换器及功率因数校正（PFC）电路，助力新能源汽车实现更高续航里程与更快充电速度。

四、行业影响：推动国产碳化硅生态成型

森国科此次获奖，不仅是单一产品的技术胜利，更对国内汽车电子产业链产生深远影响：

1. 填补高端器件空白
长期以来，高性能碳化硅二极管市场由国际巨头主导。森国科以“全球最低漏电流”实现性能超越，加速了国产替代进程，为国内汽车电子企业提供了更优选择。

2. 促进技术标准升级
该产品的漏电流指标为行业提供了新的参考基准，推动上下游企业在材料、工艺、测试等环节协同升级，助力我国汽车电子标准体系与国际接轨。

3. 激活创新示范效应
获奖后，森国科持续加大研发投入，围绕碳化硅MOSFET、模块化产品等延伸布局，带动了国内第三代半导体领域创业与投资热潮，为汽车电子自主创新注入新动能。

五、未来展望：深耕SiC，驱动汽车电子新变革

随着新能源汽车渗透率持续攀升及800V高压平台加速普及，碳化硅器件市场需求呈爆发式增长。森国科表示，将以此次获奖为契机，进一步聚焦车载高压功率器件，在以下方向持续突破：

• 技术迭代：开发更低漏电流、更高频率的SiC二极管及MOSFET产品，适配未来电动汽车的更高能效需求。
• 产能保障：加强与上游衬底、外延企业合作，构建稳定的车规级供应体系。
• 应用拓展：联合车企与Tier 1供应商，深化在无线充电、光伏逆变、储能等交叉领域的方案创新。
• 国际布局：积极参与国际标准制定，推动国产SiC器件走向全球市场。

以创新之光点亮汽车电子未来

森国科“全球最低漏电流碳化硅二极管”荣获2020年度汽车电子科学技术“突出创新产品奖”，是中国汽车电子产业自主创新的一个缩影。在电动化、智能化浪潮下，以碳化硅为代表的第三代半导体正成为汽车技术革命的核心驱动力。森国科将继续秉持“技术立企”理念，携手产业链伙伴，以更高效、更可靠的功率器件解决方案，助力全球汽车产业绿色转型与高质量发展。